\

innovator

Добавить идею


Календарь

«    Январь 2019    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 

 

Реклама

 

Платеж

 

Реклама

 

Авторизация

Стартап

ДатаДата: 7-01-2019, 07:58

Одна из проблем голосовых ассистентов состоит в том, что многие стесняются использовать их на публике. Новый патент Microsoft содержит модуль, который позволит «умным» помощникам распознавать команды, произнесённые их владельцем незаметно для окружающих, пишет Windows Central.

 

В патентной заявке описан «тихий» метод ввода, когда ассистент распознаёт голосовую команду по потоку воздуха, создаваемому при её произнесении. Модуль можно интегрировать в различные устройства: смарт-часы или кольца, телефоны, микрофоны наушников или даже пульты от телевизора.

 

Если поднести микрофон достаточно близко ко рту, оставив лишь небольшое расстояние, устройство сможет улавливать стабильный сигнал в процессе произнесении команды с минимальной «утечкой голоса».

Пока голосовой ввод в общественных местах (и даже дома) используют редко — в основном потому, что это может потревожить окружающих. Технология Microsoft решает не только эту проблему, но и вопрос безопасности информации пользователей, снижая вероятность того, что их подслушает кто-то посторонний.

Источник: dev.by


ДатаДата: 6-01-2019, 08:10

Известная корейская корпорация Samsung осваивает новые горизонты. Как сообщает официальный сайт компании, сотрудники уже начали заниматься созданием процессоров для автомобилей. Отметим, что компания Samsung удивила новыми разработками, так как немногие подобные производители занимаются созданием процессоров. Первый чип уже презентовали, а также озвучили название — Samsung Exynos Auto V9.

Отмечается, что во время изготовления чипа использовалась однокристальная система. Процессор обладает сразу восьми ядрами и работает на частоте 2,1 ГГц. В нем также присутствует встроенный графический модуль, аудиопроцессор, а также отдельное изолированное ядро, которое поддерживает инновационный стандарт безопасности. Дополнительно в чип встроен контроллер памяти.

 

Новинка позволяет подключать одновременно до шести экранов и 12 камер для различных подсистем. При этом графический модуль способен обслуживать сразу несколько переферийных устройств. Кроме того, в процессоре присутствует модуль, предназначенный для нейронных вычислений. С его помощью можно распознавать жесты, лица и голоса. В ходе поездки эта разработка организовывает безопасность как водителя, так и пассажиров.

Первой компанией, которая решила закупить подобные процессоры, стала Audi. Однако, автомобилей с подобными технологиями ждать в скором времени не стоит, так как первые прототипы появятся только в 2021 году. На данный момент неизвестно, какие еще корпорации будут закупать подобные чипы, однако у них огромный потенциал, поэтому вполне вероятно, что скоро в них будут заинтересованы и другие производители.


ДатаДата: 5-01-2019, 07:33

Управление США по патентам и торговым маркам (USPTO) обнародовало патент Facebook на новое устройство для современного «умного» дома.

В октябре прошлого года, напомним, компания Facebook анонсировала смарт-дисплеи Portal и Portal+ с интеллектуальным голосовым ассистентом Amazon Alexa. Обнародованная патентная документация говорит о том, что вскоре к этим устройствам может присоединиться «умная» колонка.

Патент носит лаконичное название «Динамик» (Speaker). Он относится к категории дизайнерских, поэтому технические характеристики гаджета не раскрываются.

Иллюстрации, сопровождающие документ, позволяют получить представление о внешнем виде новинки. Изделие выполнено в форме параллелепипеда со скруглёнными рёбрами.

Во фронтальной части можно видеть органы управления в форме некой джойстик-кнопки. Сзади располагается симметричный порт USB Type-C. При этом вся боковая поверхность закрыта сетчатым материалом.

 

Заявка на патент была подана ещё в декабре 2016 года, а обнародован документ в первый день наступившего года. Когда устройство с описанным дизайном появится на коммерческом рынке, не уточняется.

Источник: 3dnews.ru


ДатаДата: 4-01-2019, 08:51

Электронной промышленности удавалось соблюдать закон Гордона Мура в течение нескольких десятилетий, но сейчас технологии уже вплотную приблизились к пределам, где вступают в силу некоторые ограничения, связанные с минимально допустимыми размерами отдельных частей электронных компонентов, информирует dailytechinfo.org.

Однако, инженеры из Массачусетского технологического института и Колорадского университета разработали новый технологический процесс, который позволяет изготовить "трехмерные" транзисторы, размеры которых в три раза меньше, чем размеры самых маленьких транзисторов, используемых сейчас в коммерческих продуктах.

 

Не так давно промышленным стандартом производства чипов являлась технология на 14 нм. Нанометры в данном случае означают размеры канала, основного компонента, определяющего размер транзистора. В настоящее время стандартом является технология на 10 нм, но некоторые производители чипов уже начинают переход на 7-нм технологии. Тем временем, исследователи различных компаний, в том числе и IBM, работают над созданием 5-нм технологического процесса.

Новые транзисторы, созданные исследователями, имеют размеры в 2.5 нм, что в два раза меньше размеров даже экспериментальных транзисторов, находящихся в стадии разработки. Ключевым моментом нового технологического процесса является технология микропроизводства, называемая термальной атомной послойной гравировкой (thermal atomic layer etching, thermal ALE). В этом процессе берется заготовка из полупроводникового материала, арсенида галлия-индия, которая подвергается обработке фторидом водорода, что позволяет получить на поверхности полупроводника тончайший слой фторида металла.

После этого полученное основание обрабатывается органическим веществом под названием DMAC (dimethylaluminum chloride), которое вступает в химическую реакцию с фторидом металла. Когда вещество DMAC, нанесенное на определенные участки поверхности, удаляется, вместе с ним и удаляется тончайший атомарный слой металла. За один этап такой обработки снимается слой металла в 0.02 нм, что позволяет выполнить необычайно высокоточную гравировку, для которой требуется повторение процесса сотни и тысячи раз..

"Это походит на послойную чистку луковой головки" - рассказывает Венджи Лью (Wenjie Lu), ведущий исследователь, - "На каждом этапе мы снимаем только два процента от одного нанометра, что дает нам сверхвысокую точность, обеспечивает полный контроль за ходом процесса, который позволяет свести к минимум процент брака при производстве".

Исследователи использовали новую технологию гравировки для изготовления FinFET-транзисторов (Fin Field-effect transistor), транзисторов, имеющих трехмерную структуру, которые в последнее время начинают широко использоваться в электронике. Помимо малых размеров, основные рабочие характеристики новых транзисторов на 60 процентов превышают аналогичные характеристики существующих транзисторов, а необычайно высокое соотношение сопротивления канала в закрытом и открытом состоянии делает новые транзисторы крайне эффективными с точки зрения потребляемой ими для работы энергии.

"Мы полагаем, что результаты нашей работы окажут огромное влияние на окружающий нас мир в самое ближайшее время" - рассказывает Венджи Лью, - "Нам удалось получить контроль производства наноразмерных устройств на атомарном уровне. Как мы продемонстрировали, это позволит еще больше сократить размеры транзисторов и поддержать закон Гордона Мура еще некоторое время".


ДатаДата: 3-01-2019, 07:47

Совместная работа американских и китайских ученых по разработке и созданию изолирующего вещества дала первые результаты.

Пробелы, образуемые в изолятах под действием электричества, залатываются при помощи магнитных частиц, которые перемещаются к трещине, компенсируя недостаток вещества.

Такое перемещение наночастиц происходит за счет локального плавления материала под действием магнитного поля, что позволяет восстанавливать пробелы.

Изоляционные материалы, плохо проводящие электрический ток, теряют свои свойства в процессе работы с проводниками и под действием внешних факторов.

Чтобы компенсировать такой износ диэлектриков, их совершенствуют путем добавления к ним веществ, снижающих электрическое напряжение.

Недостаток консервативной методики уплотнения изолятов в том, что ни один метод не способен восстановить изоляционное вещество уже после образования в нем трещин.

 

Исследователи из Стенфордского и Пенсильанского университетов, а также ученые из университета Цинхуа при поддержке профессора Ян Ян предложили внедрить в разработку более функциональный способ увеличения срока эксплуатации изолятов.

Частицы соединения железа с кислородом были добавлены в изоляционное вещество, предварительно оксид железа подвергся модификации, для увеличения его способности продвигаться в полипропилене.

Воздействие магнитного поля на уже поврежденный материал помогло восстановить его целостную структуру без потери диэлектрических свойств.

Многократное повторение процесса разрушения и последующего восстановления материала показало прекрасные результаты регенерации диэлектрика, который не только восстанавливался, но и не терял своих изоляционных свойств.